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复旦大学科研团队发现硫化钼晶体管新原理
 

复旦大学科研团队发明出新的单晶体管逻辑结构 使晶体管面积缩小50%

目前的晶圆都是由硅元素生产制成,已知硅原子的直径大约是0.22nm,再考虑到原子之间的距离,理论极限至少是0.5nm,但肯定没有任何公司可以做到。普遍认为3nm将是芯片制程工艺的极限。

事实上自从晶体管制造工艺进入10nm时代之后,继续提升制程工艺变得原来越困难,特别是Intel在14nm工艺上足足停留了5年之久,因此想要继续提升芯片性能最好的办法就是另辟蹊径。

日前,复旦大学科研团队近日在集成电路基础研究领域取得一项突破。他们发明了让单晶体管“一个人干两个人的活”的新逻辑结构,使晶体管面积缩小50%,存储计算的同步性也进一步提升。

复旦大学微电子学院教授周鹏指出:“这项研究工作的核心内容是利用原子晶体硫化钼做出了新结构晶体管。在此基础上,团队发明了新的单晶体管逻辑结构,在单晶体管上实现了逻辑运算的‘与’和‘或’。”因此原先需要2个独立晶体管才能实现逻辑功能,现在只要1个晶体管即可。

如果该发明成果成功产业化,将推动集成电路向更轻、更快、更小、功耗更低方向发展。相关研究成果已在线发表于《自然•纳米技术》。(论文详见附件)

 论文链接:http://sci-hub.tw/10.1038/s41565-019-0462-6

附件【Small footprint transistor architecture for photoswitching logic and in situ memory.pdf已下载
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